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氧化钛栅介质离子敏场效应管pH传感器的研制

放大字体  缩小字体    发布日期:2024-02-29  浏览次数:2
核心提示:摘 要:为了满足微量溶液的检测需求以及解决部分pH传感器灵产品敏度低、尺寸较大以及抗干扰性差的问题,研制了一种氧化钛(TiO₂)栅介质离子敏场效应管pH传感器。该传感器的沟道层为铟镓锌氧化物(InGaZnO)薄膜,顶栅介质为氧化钛(TiO₂)薄膜,源极和漏极均为金属铝(Al)薄膜;InGaZnO 薄膜和 TiO₂薄膜均由射频磁控溅射工艺制成,Al
 摘 要:为了满足微量溶液的检测需求以及解决部分pH传感器灵产品敏度低、尺寸较大以及抗干扰性差的问题,研制了一种氧化钛(TiO₂)栅介质离子敏场效应管pH传感器。该传感器的沟道层为铟镓锌氧化物(InGaZnO)薄膜,顶栅介质为氧化钛(TiO₂)薄膜,源极和漏极均为金属铝(Al)薄膜;InGaZnO 薄膜和 TiO薄膜均由射频磁控溅射工艺制成,Al薄膜由电子束蒸发沉积工艺制成,3种薄膜材料均通过光刻、刻蚀工艺图形化。传感器具有体积小、灵敏度高、抗干扰性强的优点,尺寸仅为 10 mm x15 mm,在室温(25±1)℃条件下,用半导体参数测试仪测得器件在不同 pH 值(4 ~10)溶液中的平均灵敏度为63.25 mV/pH,在K、Cl¯、Na、SO2-离子干扰下的电压漂移量为相同浓度H离子干扰下的 3%,满足当前生物医学、食品加工等领域的pH值检测需求。
原文:   GSLW-23-25 氧化钛栅介质离子敏场效应管pH传感器的研制-黄旭东-实验室研究与探索.pdf

 
 
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