当前位置: 首页 » 行业论文 » 计量论文 » 正文

氧化钛栅介质离子敏场效应管pH传感器的研制

放大字体  缩小字体    发布日期:2024-02-29  浏览次数:1
核心提示:摘 要:为了满足微量溶液的检测需求以及解决部分pH传感器灵产品敏度低、尺寸较大以及抗干扰性差的问题,研制了一种氧化钛(TiO₂)栅介质离子敏场效应管pH传感器。该传感器的沟道层为铟镓锌氧化物(InGaZnO)薄膜,顶栅介质为氧化钛(TiO₂)薄膜,源极和漏极均为金属铝(Al)薄膜;InGaZnO 薄膜和 TiO₂薄膜均由射频磁控溅射工艺制成,Al
 摘 要:为了满足微量溶液的检测需求以及解决部分pH传感器灵产品敏度低、尺寸较大以及抗干扰性差的问题,研制了一种氧化钛(TiO₂)栅介质离子敏场效应管pH传感器。该传感器的沟道层为铟镓锌氧化物(InGaZnO)薄膜,顶栅介质为氧化钛(TiO₂)薄膜,源极和漏极均为金属铝(Al)薄膜;InGaZnO 薄膜和 TiO薄膜均由射频磁控溅射工艺制成,Al薄膜由电子束蒸发沉积工艺制成,3种薄膜材料均通过光刻、刻蚀工艺图形化。传感器具有体积小、灵敏度高、抗干扰性强的优点,尺寸仅为 10 mm x15 mm,在室温(25±1)℃条件下,用半导体参数测试仪测得器件在不同 pH 值(4 ~10)溶液中的平均灵敏度为63.25 mV/pH,在K、Cl¯、Na、SO2-离子干扰下的电压漂移量为相同浓度H离子干扰下的 3%,满足当前生物医学、食品加工等领域的pH值检测需求。
原文:   GSLW-23-25 氧化钛栅介质离子敏场效应管pH传感器的研制-黄旭东-实验室研究与探索.pdf

 
 
[ 行业论文搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 违规举报 ]  [ 关闭窗口 ]
免责声明:
本网站部分内容来源于合作媒体、企业机构、网友提供和互联网的公开资料等,仅供参考。本网站对站内所有资讯的内容、观点保持中立,不对内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。如果有侵权等问题,请及时联系我们,我们将在收到通知后第一时间妥善处理该部分内容。
 

氧化钛栅介质离子敏场效应管pH传感器的研制二维码

扫扫二维码用手机关注本资讯新闻也可关注本站官方微信账号:"",每日获得互联网最前沿资讯,热点产品深度分析!
 

 

 
推荐图文
推荐行业论文
点击排行
新手指南
采购商服务
供应商服务
交易安全
关注我们
手机网站:
新浪微博:
微信关注:

0510-85100148

周一至周五 9:00-18:00
(其他时间联系在线客服)

24小时在线客服